如何利用PCB技術(shù)優(yōu)化電源模塊性能

電源模塊廠家如何利用PCB技術(shù)優(yōu)化電源模塊

印制板規(guī)劃技巧，優(yōu)化功率模塊功能，全球缺乏動(dòng)力質(zhì)疑的問題，使各國(guó)政府都開始大力宣傳節(jié)能減排新政。電子產(chǎn)品的能耗規(guī)格越來(lái)越嚴(yán)格，全球缺乏動(dòng)力的動(dòng)力使得各國(guó)政府開始大力推行新的節(jié)能政策。電子產(chǎn)品能源規(guī)格更加嚴(yán)格，對(duì)電源規(guī)劃工程師而言，如何規(guī)劃更高功率，更高功率的功能是永久性的戰(zhàn)斗。本文從一個(gè)功率PCB的計(jì)劃開始，描述了用于優(yōu)化SIMPLESWITCHER功率模塊功能的最佳PCB規(guī)劃實(shí)踐，示例和技巧。

規(guī)劃電源計(jì)劃時(shí)首先要考慮的是兩個(gè)開關(guān)電流環(huán)路的物理環(huán)路面積。雖然這些環(huán)路區(qū)域在電源模塊中是不可見的，但是知道這兩個(gè)環(huán)路的電流路徑仍然是重要的，因?yàn)樗鼈冄由斓诫娫茨�塊之外。在回路1中，載流輸入旁路電容（Cin1）在高端MOSFET持續(xù)導(dǎo)通期間通過MOSFET到達(dá)內(nèi)部電感和輸出旁路電容（CO1），并最終返回到旁路電容。

環(huán)路2是內(nèi)部高端MOSFET的關(guān)斷時(shí)間和低端MOSFET的導(dǎo)通時(shí)刻。存儲(chǔ)在內(nèi)部電感中的能量流過輸出旁路電容和低端MOSFET，最終返回到GND。兩個(gè)環(huán)沒有堆疊的區(qū)域，包括環(huán)之間的間隙，是高di / dt電流的區(qū)域。輸入旁路電容（Cin1）在向轉(zhuǎn)換器提供高頻電流并將高頻電流返回到其源極通路中起著關(guān)鍵作用。

輸出旁路電容（Co1）充當(dāng)高頻濾波器，用于切換噪聲，但不會(huì)導(dǎo)致較大的通信電流。由于這些原因，模塊上的輸入和輸出電容盡可能靠近各自的VIN和VOUT引腳放置。這些連接的電感可以通過最小化和拓寬旁路電容器和它們各自的VIN和VOUT引腳之間的走線來(lái)最小化。

最小化電感的PCB計(jì)劃具有以下兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)。在列表頂部，通過推進(jìn)Cin1和CO1之間的能量傳輸來(lái)增強(qiáng)組件功能。這將確保模塊具有出色的高頻旁路，可在高di / dt電流下將感應(yīng)電壓的峰值降至最低。它們一起還使設(shè)備噪聲和電壓應(yīng)力最小化確保其正常運(yùn)行。 其次，要盡量減少電磁干擾

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